Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25
Максимальная температура канала (Tj): 150
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.008
Тип корпуса: SOT78